Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots
	Jiang DS
	1999
会议名称	5th international symposium on quantum confinement - nanostructures
会议日期	nov 02-05, 1998
会议地点	boston, ma
页码	318-319
通讯作者	zhu hj chinese acad sci inst semicond natl lab superlattices & microstruct pob 912 beijing 100083 peoples r china.
中文摘要
英文摘要	; 于2010-10-29批量导入; made available in dspace on 2010-10-29t06:37:08z (gmt). no. of bitstreams: 0 previous issue date: 1999; dielect sci & technol.; electrochem soc, electr, luminescence & display mat div.; chinese acad sci, inst semicond, natl lab superlattices & microstruct, beijing 100083, peoples r china
收录类别	CPCI-S
会议主办者	dielect sci & technol.; electrochem soc, electr, luminescence & display mat div.
会议录	proceedings of the fifth international symposium on quantum confinement: nanostructures, 98 (19)
会议录出版者	electrochemical society inc ; 65 s main st, pennington, nj 08534-2839 usa
会议录出版地	65 s main st, pennington, nj 08534-2839 usa
学科主题	半导体物理
语种	英语
ISBN号	1-56677-213-3
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13813]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Jiang DS. Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots[C]. 见:5th international symposium on quantum confinement - nanostructures. boston, ma. nov 02-05, 1998.