InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应

	InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
	江德生
刊名	半导体学报
	1993
卷号	14 期号:8 页码:517
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6160.pdf: 147677 bytes, checksum: 4af51077cfaccd7c4f4db7bdccb9d854 (MD5) Previous issue date: 1993; 中科院半导体所;北京师范大学;中科院物理所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20107]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应[J]. 半导体学报,1993,14(8):517.
APA	江德生.(1993).InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应.半导体学报,14(8),517.
MLA	江德生."InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应".半导体学报 14.8(1993):517.