同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

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	同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响
	季航 ; 赵特秀 ; 王晓平 ; 吴建新 ; 徐彭寿 ; 陆尔东 ; 许振嘉
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:5 页码:395
中文摘要	利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用.
英文摘要	利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6037.pdf: 167437 bytes, checksum: 8dca32d56967db64abd61cf0947e8de3 (MD5) Previous issue date: 1995; 国家自然科学基金; 中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所
学科主题	半导体化学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19875]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	季航,赵特秀,王晓平,等. 同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响[J]. 半导体学报,1995,16(5):395.
APA	季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响.半导体学报,16(5),395.
MLA	季航,et al."同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响".半导体学报 16.5(1995):395.