利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触

	利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触
	陈维德 ; 谢小龙 ; 崔玉德 ; 段俐宏 ; 许振嘉
刊名	半导体学报
	1996
卷号	17 期号:10 页码:784
中文摘要	利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAS上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～10~(-6)Ω·cm~2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SLMS)揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19673]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈维德,谢小龙,崔玉德,等. 利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触[J]. 半导体学报,1996,17(10):784.
APA	陈维德,谢小龙,崔玉德,段俐宏,&许振嘉.(1996).利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触.半导体学报,17(10),784.
MLA	陈维德,et al."利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触".半导体学报 17.10(1996):784.