一种有机硅化物修饰的锂硫电池正极材料的制备方法
董伟玲; 陈宏伟; 王长虹; 卢威; 陈立桅
2015-08-05
专利号CN103199250B
专利类型发明
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日期2013-04-24
专利申请号2147483647
内容类型专利
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3205]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_陈立桅团队
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
董伟玲,陈宏伟,王长虹,等. 一种有机硅化物修饰的锂硫电池正极材料的制备方法. CN103199250B. 2015-08-05.
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