自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法

	自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法
	陈立桅; 吴丹
	2013-08-07
专利国别	中国
专利号	102604334A
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中文摘要	本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化剂和碱抑制剂混合物层，而后将基片表面暴露于含有乙撑二氧噻吩单体的气氛中，使乙撑二氧噻吩单体在7℃~120℃的温度下于基片表面聚合形成聚合物薄膜，其后将聚合物薄膜从基片表面剥离、洗涤，获得目标产品。本发明的PEDOT薄膜无需添加高分子成膜剂，具有优良的力学性能和电学性能，电导率在10-1~103S/cm范围内可控，透光率在20%~88%范围内可控，且制备工艺简单，易于控制。
公开日期	2014-01-20
申请日期	2012-02-07
语种	中文
专利申请号	201210025319.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1506]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_陈立桅团队
推荐引用方式 GB/T 7714	陈立桅,吴丹. 自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法. 102604334A. 2013-08-07.