磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合

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	磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合
	刘剑
刊名	红外与毫米波学报
	1996
卷号	15 期号:2 页码:113
中文摘要	报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法.
英文摘要	报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5903.pdf: 353307 bytes, checksum: 6a1ae7cceaa05e82cef887db62d4ac79 (MD5) Previous issue date: 1996; 国家攀登计划; 中科院半导体所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家攀登计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19611]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘剑. 磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(2):113.
APA	刘剑.(1996).磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合.红外与毫米波学报,15(2),113.
MLA	刘剑."磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合".红外与毫米波学报 15.2(1996):113.