自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究

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	自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
	韩培德
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:7 页码:550
中文摘要	报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。
英文摘要	报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5823.pdf: 541688 bytes, checksum: 411ce51c3afd1134400d23cb7183a6bb (MD5) Previous issue date: 1997; 国家攀登计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院北京电子显微镜实验室
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家攀登计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19469]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]. 半导体学报,1997,18(7):550.
APA	韩培德.(1997).自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究.半导体学报,18(7),550.
MLA	韩培德."自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究".半导体学报 18.7(1997):550.