低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

	低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
	陈良惠
刊名	半导体学报
	1997
卷号	18 期号:5 页码:321
中文摘要	利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19439]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,1997,18(5):321.
APA	陈良惠.(1997).低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.半导体学报,18(5),321.
MLA	陈良惠."低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".半导体学报 18.5(1997):321.