InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

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	InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究
	牛智川
刊名	物理学报
	1997
卷号	46 期号:5 页码:969
中文摘要	提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/InGaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的"蓝移".认为这一跃迁能量的"蓝移"是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19319]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究[J]. 物理学报,1997,46(5):969.
APA	牛智川.(1997).InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究.物理学报,46(5),969.
MLA	牛智川."InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究".物理学报 46.5(1997):969.