CoSi2超薄外延膜的生长研究

	CoSi2超薄外延膜的生长研究
	姚振钰 ; 张国炳 ; 秦复光 ; 刘志凯 ; 张建辉 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:3 页码:221
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5697.pdf: 210915 bytes, checksum: 85ddeadd74d1a23c6f5fa03b15c19e95 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家八五计划; 中科院半导体所;北京大学微电子所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家八五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19227]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	姚振钰,张国炳,秦复光,等. CoSi2超薄外延膜的生长研究[J]. 半导体学报,1998,19(3):221.
APA	姚振钰,张国炳,秦复光,刘志凯,张建辉,&林兰英.(1998).CoSi2超薄外延膜的生长研究.半导体学报,19(3),221.
MLA	姚振钰,et al."CoSi2超薄外延膜的生长研究".半导体学报 19.3(1998):221.