自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

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	自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究
	韩培德
刊名	物理学报
	1998
卷号	47 期号:1 页码:89
中文摘要	利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。
英文摘要	利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5633.pdf: 327471 bytes, checksum: 3ff036f2d13f595ff31e0b20055952a4 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家自然科学基金,国家攀登计划; 中科院半导体所;北京电子显微镜开放实验室
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家攀登计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19099]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究[J]. 物理学报,1998,47(1):89.
APA	韩培德.(1998).自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究.物理学报,47(1),89.
MLA	韩培德."自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究".物理学报 47.1(1998):89.