室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器
	王晓东; 王海龙
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:4 页码:328
中文摘要	利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。
英文摘要	利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5518.pdf: 324430 bytes, checksum: f509f5989843ff277b17e72f045029bb (MD5) Previous issue date: 1999; 国家攀登计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家攀登计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18941]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓东,王海龙. 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器[J]. 半导体学报,1999,20(4):328.
APA	王晓东,&王海龙.(1999).室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器.半导体学报,20(4),328.
MLA	王晓东,et al."室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器".半导体学报 20.4(1999):328.