温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
	王杰
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:11 页码:945
中文摘要	测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。
英文摘要	测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:58导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5481.pdf: 334281 bytes, checksum: 84b4df754d162711b8e22249171d6c4f (MD5) Previous issue date: 1999; 国家攀登计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所;复旦大学
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家攀登计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18867]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王杰. 温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转[J]. 半导体学报,1999,20(11):945.
APA	王杰.(1999).温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转.半导体学报,20(11),945.
MLA	王杰."温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转".半导体学报 20.11(1999):945.