GSMBE原位生长SiGeHBT材料

	GSMBE原位生长SiGeHBT材料
	黄大定 ; 刘金平 ; 李建平 ; 林燕霞 ; 刘学锋 ; 李灵霄 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	1999
卷号	20 期号:12 页码:1049
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家九五计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18853]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	黄大定,刘金平,李建平,等. GSMBE原位生长SiGeHBT材料[J]. 半导体学报,1999,20(12):1049.
APA	黄大定.,刘金平.,李建平.,林燕霞.,刘学锋.,...&林兰英.(1999).GSMBE原位生长SiGeHBT材料.半导体学报,20(12),1049.
MLA	黄大定,et al."GSMBE原位生长SiGeHBT材料".半导体学报 20.12(1999):1049.