High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers

	High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers
	Chen LH(陈良惠)
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:5 页码:417
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:48导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:10:48z (gmt). no. of bitstreams: 1 5448.pdf: 291031 bytes, checksum: 8d326a8628893a7d4947eb7215ad9081 (md5) previous issue date: 2000; 国家863计划; 中科院半导体所;北京工业大学
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划
语种	英语
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18801]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen LH. High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers[J]. 半导体学报,2000,21(5):417.
APA	陈良惠.(2000).High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers.半导体学报,21(5),417.
MLA	陈良惠."High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers".半导体学报 21.5(2000):417.