低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构
	王燕 ; 岳瑞峰 ; 韩和相 ; 廖显伯 ; 王永谦 ; 刁宏伟 ; 孔光临
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:5 页码:599
中文摘要	利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。
英文摘要	利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5393.pdf: 312862 bytes, checksum: 164b08e40a0223883444d485e60d5038 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 清华大学微电子学研究所;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18691]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王燕,岳瑞峰,韩和相,等. 低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构[J]. 半导体学报,2001,22(5):599.
APA	王燕.,岳瑞峰.,韩和相.,廖显伯.,王永谦.,...&孔光临.(2001).低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构.半导体学报,22(5),599.
MLA	王燕,et al."低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构".半导体学报 22.5(2001):599.