单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算

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	单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算
	薛俊明 ; 刘志钢 ; 孙钟林 ; 周伟 ; 赵颖 ; 吴春亚 ; 李桂华
刊名	光电子·激光
	1999
卷号	10 期号:5 页码:419
中文摘要	本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。
英文摘要	本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:55导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5300.pdf: 397579 bytes, checksum: b8582e60d3725aba4bb3877b3d48d063 (MD5) Previous issue date: 1999; 南开大学光电子薄膜器件与技术所;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18505]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	薛俊明,刘志钢,孙钟林,等. 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算[J]. 光电子·激光,1999,10(5):419.
APA	薛俊明.,刘志钢.,孙钟林.,周伟.,赵颖.,...&李桂华.(1999).单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算.光电子·激光,10(5),419.
MLA	薛俊明,et al."单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算".光电子·激光 10.5(1999):419.