横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

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	横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
	王玉田
刊名	核技术
	2002
卷号	25 期号:10 页码:770-774
中文摘要	采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。
英文摘要	采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5046.pdf: 370160 bytes, checksum: a858ff21d5fcdf258669dc654f3d3304 (MD5) Previous issue date: 2002; 中国科学院半导体研究所;中科院高能物理所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17999]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究[J]. 核技术,2002,25(10):770-774.
APA	王玉田.(2002).横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究.核技术,25(10),770-774.
MLA	王玉田."横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究".核技术 25.10(2002):770-774.