Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition | |
C.H. Jia ; S.Wang ; Y.H.Wu ; Y.H.Chen ; X.W.Sun ; W.F.Zhang | |
刊名 | journal of crystal growth |
2015 | |
卷号 | 421页码:19–22 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2016-03-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26778] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | C.H. Jia,S.Wang,Y.H.Wu,et al. Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition[J]. journal of crystal growth,2015,421:19–22. |
APA | C.H. Jia,S.Wang,Y.H.Wu,Y.H.Chen,X.W.Sun,&W.F.Zhang.(2015).Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition.journal of crystal growth,421,19–22. |
MLA | C.H. Jia,et al."Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition".journal of crystal growth 421(2015):19–22. |
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