非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究 | |
张世斌 ; 廖显伯 ; 安龙 ; 杨富华 ; 孔光临 ; 王永谦 ; 徐艳月 ; 陈长勇 ; 刁宏伟 | |
刊名 | 物理学报 |
2002 | |
卷号 | 51期号:8页码:1811-1815 |
中文摘要 | 通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50 mW·cm~(-2)的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明,在我们的样品制备条件下,当H_2和SiH_4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品(R > 50)中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右;样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17899] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张世斌,廖显伯,安龙,等. 非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究[J]. 物理学报,2002,51(8):1811-1815. |
APA | 张世斌.,廖显伯.,安龙.,杨富华.,孔光临.,...&刁宏伟.(2002).非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究.物理学报,51(8),1811-1815. |
MLA | 张世斌,et al."非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究".物理学报 51.8(2002):1811-1815. |
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