超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

	超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺
	赵冀
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:4 页码:445-448
中文摘要	在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验，并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度。研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度，并分析和讨论了其原因。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17717]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵冀. 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J]. 半导体学报,2003,24(4):445-448.
APA	赵冀.(2003).超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺.半导体学报,24(4),445-448.
MLA	赵冀."超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺".半导体学报 24.4(2003):445-448.