掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

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	掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
	韦文生 ; 王天民 ; 张春熹 ; 李国华 ; 韩和香 ; 丁琨
刊名	功能材料与器件学报
	2003
卷号	9 期号:1 页码:25-30
中文摘要	利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）生长的系列掺硼氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nanocrystalline silicon，简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Ramam等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现：掺硼nc-Si:H薄膜的XRD只有一个峰，峰位在2θ≈47°，晶面指数为（220），属于金刚石结构。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺硼nc-Si:H薄膜择优生长的原因是：适当的电场作用引起序参量改变，导致薄膜在适当的自由能范围内nc-Si的晶面择优生长。随着掺硼浓度的增加，nc-Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化。nc-Si随射频功率密度的增大而长大，但晶态率降低。nc-Si随衬底温度升高而长大，晶态率提高。nc-Si随射频功率密度的增大而长大，晶态率增大的趋势平缓。但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底温度、射频功率密度的变化引起薄膜中nc-Si晶面的择优生长。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助课题（No.59982 2）,教育部博士点基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17633]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韦文生,王天民,张春熹,等. 掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(1):25-30.
APA	韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和香,&丁琨.(2003).掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长.功能材料与器件学报,9(1),25-30.
MLA	韦文生,et al."掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长".功能材料与器件学报 9.1(2003):25-30.