InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究

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	InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
	徐波
刊名	物理学报
	2004
卷号	53 期号:1 页码:301-305
中文摘要	利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.
英文摘要	利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4766.pdf: 381792 bytes, checksum: 668034310aa6b99e71dffbb70436ba64 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目; 中国科学院半导体研究所;兰州大学物理科学与技术学院
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17499]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	徐波. InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究[J]. 物理学报,2004,53(1):301-305.
APA	徐波.(2004).InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究.物理学报,53(1),301-305.
MLA	徐波."InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究".物理学报 53.1(2004):301-305.