纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池

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	纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池
	胡志华 ; 廖显伯 ; 刁宏伟 ; 曾湘波 ; 徐艳月 ; 孔光临
刊名	太阳能学报
	2005
卷号	26 期号:2 页码:187-191
中文摘要	该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
英文摘要	该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4550.pdf: 243326 bytes, checksum: 8a2404231b580c96b4e0ff58fbcda71a (MD5) Previous issue date: 2005; 中国科学院青藏高原综合观测研究站项目,中国科学院寒区旱区环境与工程研究所创新项目,国家重点基础研究发展规化项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	中国科学院青藏高原综合观测研究站项目,中国科学院寒区旱区环境与工程研究所创新项目,国家重点基础研究发展规化项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17123]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池[J]. 太阳能学报,2005,26(2):187-191.
APA	胡志华,廖显伯,刁宏伟,曾湘波,徐艳月,&孔光临.(2005).纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池.太阳能学报,26(2),187-191.
MLA	胡志华,et al."纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池".太阳能学报 26.2(2005):187-191.