GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性

	GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
	谭平恒
刊名	红外与毫米波学报
	2005
卷号	24 期号:3 页码:185-188
中文摘要	通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,江苏省自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17103]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	谭平恒. GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):185-188.
APA	谭平恒.(2005).GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性.红外与毫米波学报,24(3),185-188.
MLA	谭平恒."GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性".红外与毫米波学报 24.3(2005):185-188.