非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

	非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟
	胡志华 ; 廖显伯 ; 刁宏伟 ; 夏朝凤 ; 许玲 ; 曾湘波 ; 郝会颖 ; 孙光临
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:5 页码:2302-2306
中文摘要	运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重大基础研究计划(973)项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17007]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟[J]. 物理学报,2005,54(5):2302-2306.
APA	胡志华.,廖显伯.,刁宏伟.,夏朝凤.,许玲.,...&孙光临.(2005).非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟.物理学报,54(5),2302-2306.
MLA	胡志华,et al."非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟".物理学报 54.5(2005):2302-2306.