SiO2/Si波导应力双折射数值分析

	SiO2/Si波导应力双折射数值分析
	安俊明; 李健
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:7 页码:1454-1458
中文摘要	采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16981]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明,李健. SiO2/Si波导应力双折射数值分析[J]. 半导体学报,2005,26(7):1454-1458.
APA	安俊明,&李健.(2005).SiO2/Si波导应力双折射数值分析.半导体学报,26(7),1454-1458.
MLA	安俊明,et al."SiO2/Si波导应力双折射数值分析".半导体学报 26.7(2005):1454-1458.