基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

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	基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
	陈良惠
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:8 页码:1667-1670
中文摘要	提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
英文摘要	提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:14导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4431.pdf: 326561 bytes, checksum: 1669426ac7ebbaeb87d5d947d9707403 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划; 北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16917]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J]. 半导体学报,2005,26(8):1667-1670.
APA	陈良惠.(2005).基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合.半导体学报,26(8),1667-1670.
MLA	陈良惠."基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合".半导体学报 26.8(2005):1667-1670.