平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制

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	平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制
	陈良惠
刊名	半导体光电
	2006
卷号	27 期号:3 页码:278-281
中文摘要	平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化。
英文摘要	平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4244.pdf: 643109 bytes, checksum: a4dcd79e10c3056b7a20e1739750503b (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16581]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠. 平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制[J]. 半导体光电,2006,27(3):278-281.
APA	陈良惠.(2006).平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制.半导体光电,27(3),278-281.
MLA	陈良惠."平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制".半导体光电 27.3(2006):278-281.