多阳极光电倍增管读出ASIC设计

	多阳极光电倍增管读出ASIC设计
	肖腾飞; 张研; 王庆娟; 吴文欢; 王铮; 赵京伟
刊名	核电子学与探测技术
	2012
期号	9 页码:1003-1006
关键词	多阳极光电倍增管专用集成电路中子鉴别电压灵敏前放截止CMOS管反馈
其他题名	A READOUT ASIC DESIGNED FOR MULTI-ANODE PHOTOMULTIPLIER TUBE
通讯作者	肖腾飞
中文摘要	主要介绍了针对多阳极光电倍增管读出ASIC设计,该设计主要应用于散裂中子源中子谱仪中的高通量粉末衍射仪的读出电子学系统中[1]。设计采用了Chartered 0.35μm CMOS工艺,整个芯片集成了32通道,每个通道包含前置放大器、积分电路以及比较器等部分,分别实现快速放大、积分、甄别和整形输出等功能。要求前放增益可调,能够准确分辨出中子和γ信号。
公开日期	2016-02-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219834]
专题	高能物理研究所_实验物理中心高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	肖腾飞,张研,王庆娟,等. 多阳极光电倍增管读出ASIC设计[J]. 核电子学与探测技术,2012(9):1003-1006.
APA	肖腾飞,张研,王庆娟,吴文欢,王铮,&赵京伟.(2012).多阳极光电倍增管读出ASIC设计.核电子学与探测技术(9),1003-1006.
MLA	肖腾飞,et al."多阳极光电倍增管读出ASIC设计".核电子学与探测技术 .9(2012):1003-1006.