闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究

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	闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究
	江鹏飞 ; 周燕 ; 谢福增
刊名	光学技术
	2006
卷号	32 期号:6 页码:869-870
中文摘要	在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性.
英文摘要	在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4152.pdf: 278691 bytes, checksum: 52b64e5b14314e7f27d5de7f72f14859 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16459]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江鹏飞,周燕,谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究[J]. 光学技术,2006,32(6):869-870.
APA	江鹏飞,周燕,&谢福增.(2006).闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究.光学技术,32(6),869-870.
MLA	江鹏飞,et al."闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究".光学技术 32.6(2006):869-870.