掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

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	掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究
	宋淑芳 ; 陈维德 ; 许振嘉 ; 徐叙瑢
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:3 页码:1621-1626
中文摘要	利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模，并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中，对于注Er的GaN样品出现了300 cm~(-1)和670 cm~(-1)两个新的Raman峰，而对于Er+O共注样品，除了上述两个峰外，在360 cm~(-1)处出现了另外一个新的峰，其中300 cm~(-1)峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释，670 cm~(-1)峰是由于与N空位相关的缺陷引起的，而360 cm~(-1)峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm~(-1)模的缺陷出现，从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目(973计划),中国博士后科学基金资助课题资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16399]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	宋淑芳,陈维德,许振嘉,等. 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究[J]. 物理学报,2007,56(3):1621-1626.
APA	宋淑芳,陈维德,许振嘉,&徐叙瑢.(2007).掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究.物理学报,56(3),1621-1626.
MLA	宋淑芳,et al."掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究".物理学报 56.3(2007):1621-1626.