物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

	物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
	魏学成
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:2 页码:204-208
中文摘要	利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响．
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16359]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	魏学成. 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征[J]. 半导体学报,2007,28(2):204-208.
APA	魏学成.(2007).物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征.半导体学报,28(2),204-208.
MLA	魏学成."物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征".半导体学报 28.2(2007):204-208.