显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质

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	显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质
	谭平恒
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:7 页码:4213-4217
中文摘要	通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E_0+△_0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E_0+△_0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E_0+△_0能级与带边E_0共享了共同的导带位置Г_6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E_0+△_0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E_0+△_0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
英文摘要	通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E_0+△_0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E_0+△_0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E_0+△_0能级与带边E_0共享了共同的导带位置Г_6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E_0+△_0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E_0+△_0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4059.pdf: 367131 bytes, checksum: da76f4085889ef3203bb914ce8405c65 (MD5) Previous issue date: 2007; 南通大学校级项目,江苏省自然科学基金,江苏省"六大人才高峰"项目; 南通大学;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	南通大学校级项目,江苏省自然科学基金,江苏省"六大人才高峰"项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16295]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	谭平恒. 显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质[J]. 物理学报,2007,56(7):4213-4217.
APA	谭平恒.(2007).显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质.物理学报,56(7),4213-4217.
MLA	谭平恒."显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质".物理学报 56.7(2007):4213-4217.