n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

	n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合
	陈良惠; 渠红伟; 曹玉莲
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:11 页码:1815-1817
中文摘要	采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16195]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠,渠红伟,曹玉莲. n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合[J]. 半导体学报,2007,28(11):1815-1817.
APA	陈良惠,渠红伟,&曹玉莲.(2007).n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合.半导体学报,28(11),1815-1817.
MLA	陈良惠,et al."n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合".半导体学报 28.11(2007):1815-1817.