π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析 | |
刘波; 姜焕清 | |
刊名 | 高能物理与核物理 |
1982 | |
期号 | 1页码:743-749 |
关键词 | 非弹性散射 DWIA 微分截面 核子数 程函 同位旋 介子工厂 价核子 射道 核散射 |
其他题名 | THE DWIA ANALYSIS OF PION-~18O INELASTIC SCATTERING |
通讯作者 | 刘波(理) |
中文摘要 | 我们在程函扭曲的DWIA框架下,用跃迁密度方法计算了180MeV和230MeV的π在~(18)O上的非弹性散射到2~+(1.98MeV)激发态的微分截面,分析了π~-对π~+的截面比,研究了中子分布半径对微分截面的影响,我们的结果与实验定性符合。 |
收录类别 | CNKI |
公开日期 | 2016-02-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/216706] |
专题 | 高能物理研究所_理论物理室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波,姜焕清. π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析[J]. 高能物理与核物理,1982(1):743-749. |
APA | 刘波,&姜焕清.(1982).π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析.高能物理与核物理(1),743-749. |
MLA | 刘波,et al."π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析".高能物理与核物理 .1(1982):743-749. |
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