U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制

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	U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制
	黄燕华 ; 陈松岩 ; 李成 ; 蔡加法 ; 余金中
刊名	光电子·激光
	2008
卷号	19 期号:7 页码:869-871
中文摘要	为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。
英文摘要	为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3836.pdf: 473785 bytes, checksum: f9e87ba17f04ad8738e26f1126727a76 (MD5) Previous issue date: 2008; 国家自然科学基金资助项目(6 576 1,6 336 1 ,6 676 27),福建省自然科学基金资助项目(A 41 8); 集美大学诚毅学院;厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目(6 576 1,6 336 1 ,6 676 27),福建省自然科学基金资助项目(A 41 8)
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15995]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	黄燕华,陈松岩,李成,等. U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制[J]. 光电子·激光,2008,19(7):869-871.
APA	黄燕华,陈松岩,李成,蔡加法,&余金中.(2008).U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制.光电子·激光,19(7),869-871.
MLA	黄燕华,et al."U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制".光电子·激光 19.7(2008):869-871.