高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作

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	高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作
	韩培德; 高利朋
刊名	半导体光电
	2009
卷号	30 期号:3 页码:381-384
中文摘要	在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅.采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作了刻蚀深度为565 nm和935 nm的起伏型高阶布拉格光栅,测试表明,在1540～1640 nm波长范围内,得到了大于10 dB的消光比,实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果.理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数,以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家自然科学面上基金,国家"973"计划项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15845]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德,高利朋. 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作[J]. 半导体光电,2009,30(3):381-384.
APA	韩培德,&高利朋.(2009).高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作.半导体光电,30(3),381-384.
MLA	韩培德,et al."高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作".半导体光电 30.3(2009):381-384.