Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响

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	Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响
	李新坤; 梁德春
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	2009
卷号	39 期号:7 页码:1269-1274
中文摘要	利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层.
英文摘要	利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:07导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3724.pdf: 4246686 bytes, checksum: 5cde3df14322d60603e92e2e19a52d76 (MD5) Previous issue date: 2009; 曲阜师范大学物理工程学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15799]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李新坤,梁德春. Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2009,39(7):1269-1274.
APA	李新坤,&梁德春.(2009).Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响.中国科学. E辑，技术科学,39(7),1269-1274.
MLA	李新坤,et al."Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响".中国科学. E辑，技术科学 39.7(2009):1269-1274.